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ZXTN2011G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

ZXTN2011G
廠商型號

ZXTN2011G
參數(shù)屬性

ZXTN2011G 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
功能描述

100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

142.47 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-15 13:14:00

ZXTN2011G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 100V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

FEATURES

? 6 amps continuous current

? Up to 10 amps peak current

? Very low saturation voltages

APPLICATIONS

? Motor driving

? Line switching

? High side switches

? Subscriber line interface cards (SLIC)

產品屬性

  • 產品編號：

    ZXTN2011GTA

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    220mV @ 500mA，5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 2A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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