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PDTA113EK

Marking：17；Package：SC-59A；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC115TE

Marking：17；Package：SC-75；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open

Features *Built-inbiasresistor *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC115TU

Marking：17；Package：SC-70；NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = open

Features *Built-inbiasresistor *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC124ET

Marking：17；Package：SOT23；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ

1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124ET 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducesco

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTC124ET-Q

Marking：17；Package：SOT23；50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ

1.Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA124ET-Q 2.Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reduces

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PJV1717_R1_00301

Marking：17；Package：SOT-723；20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ●AdvancedTrenchProcessTechnology ●ESDProtected ●SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc ●LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ●GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard MechanicalData ●Case:SOT-723Package ●Terminals:SolderableperMIL-S

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

RLZ9.1B

Marking：17；Package：LLDS；Zener diode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RLZ9.1B

Marking：17；Package：LLDS；Zener diode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RLZ9.1B

Marking：17；Package：LLDS；Zener diode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RLZ9.1B

Marking：17；Package：LLDS；Zener diode

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    1701

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_輸出極 （E）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    35V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    120MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.6W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-20

  • vtest：

    35

  • htest：

    120000000

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0.6

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    17

  • 制造商：

    JKL Components Corp.

  • 類別：

    光電器件 > 燈 - 白熾燈，氖燈

  • 包裝：

    袋

  • 類型：

    白熾

  • 顏色：

    透明

  • 額定電壓：

    28V

  • 透鏡樣式：

    圓形，帶圓頂

  • 透鏡尺寸：

    RT-1 3/4

  • 引線樣式：

    楔形

  • 描述：

    LAMP INCAND RT-1.75 WEDGE 28V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多17供應(yīng)商 更新時間2025-2-5 9:50:00

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