2N2919L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N2919L |
| 參數(shù)屬性 | 2N2919L 封裝/外殼為TO-78-6 金屬罐；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列；產(chǎn)品描述：TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 |
| 功能描述 | NPN SILICON DUAL TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-78-6 金屬罐 |
| 文件大小 |
304.78 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 23:21:00 |
2N2919L規(guī)格書詳情
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500 /355
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N2919L
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
2 NPN（雙）
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
30mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
60V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 100μA，1mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 1mA，5V
- 功率 - 最大值：
350mW
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-78-6 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-78-6
- 描述：
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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