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2N4232 | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N4232 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
2N4232 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N4232 | 包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：POWER BJT | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
POWER TRANSISTORS(5A,75W) COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66MetalPackage. BipolarNPNDevice. VCEO=60V IC=5A | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
70V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD241A,BD243B,BD537,BD539B,BD599,BD609,2N305A,3DD30A,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
70
- htest：
4000100
- atest：
3
- wtest：
35
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N4232
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-39 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
NES |
新 |
15 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-39 |
1000 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-39 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
CENTRAL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
CENTRAL |
21+ |
CAN3 |
61 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
CENTRAL |
22+ |
CAN3 |
25000 |
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十 |
詢價 | ||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方! |
詢價 | ||
CENTRAL |
1323+ |
CAN3 |
61 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 |
