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2SD1580

Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor

Features 1)Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.3V(Typ.)(IC/IB=4A/0.4A) 2)ExcellentcurrentresponseofDCcurrentgain(hFE). 3)Highcollectorpowerdissipation:Pc=40W(Tc=25°C) 4)WideASO. 5)Easypackagingbecauseofitsmoldtypedesign

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1580

Marking：C7；Package：TO-220；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SD1580

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=4A ?HighCollectorPowerDissipation ?GoodLinearityofhFE ?WideAreaofSafeOperation APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1581

Audio Frequnecy Power Amplifier

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORFORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERS The2SD1581isasingletypesuperhighhFEtransistorandlowcollectorsaturationvoltageandlowpowerloss.Thistransistorisidealforuseinhighcurrentdrivessuchasmortars,relays,andramps. FEATURES ?Ultrahighh

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1581

SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERS The2SD1581isasingletypesuperhighhFEtransistorandlow collectorsaturationvoltageandlowpowerloss.Thistransistoris idealforuseinhighcurrentdrivessuchasmortars,relays,and ramps. FEATURES ?Ultr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1582

Audio Frequency Power Amplifier

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERS The2SD1582isasingletypesuperhighhFEtransistorandlowcollectorsaturationvoltageandhighvoltage.Thistransistorisavailableforbroadapplicationsasvarietyofdrives. FEATURES ?UltrahighhFE hFE=800to3

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1582

SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERS The2SD1582isasingletypesuperhighhFEtransistorandlow collectorsaturationvoltageandhighvoltage.Thistransistoris availableforbroadapplicationsasvarietyofdrives. FEATURES ?UltrahighhFE hFE=800

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1583

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION 2SD1583-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCirduits.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1583-Z

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION 2SD1583-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCirduits.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1583-Z

NPN Silicon Epitaxial Transistor

Features ●LowVCE(sat). ●HighhFE.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1580

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    7A

  • 最大工作頻率：

    5MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD243C,BD543C,BD801,2SC2234,2SD550,2SD843,2SD1137,2SD1271A,2SD1237,3DK206B,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-44

  • vtest：

    100

  • htest：

    5000000

  • atest：

    7

  • wtest：

    40

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM/羅姆
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
24+
TO-220
10000
全新
 詢價
ROHM
1738+
TO-220
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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ISC
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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NEC
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
ROHM/羅姆
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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NEC
24+
TO-TO-220
35400
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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NEC
24+
4326
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存!
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NEC
24+
原廠封裝
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
NEC
24+
6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
 詢價
更多2SD158供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 14:00:00

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