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2SK879-GR(TE85L,F)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-JFET-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 廠家型號(hào)：

    2SK879-GR(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    2170

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-JFET

  • 封裝外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-24 15:00:00

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原廠料號(hào)：2SK879-GR(TE85L,F)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明：JFET N-CH 0.1W USM

2SK879-GR(TE85L,F)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SC-70，SOT-323的2SK879-GR(TE85L,F)晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開(kāi)關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過(guò)源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。

  • 芯片型號(hào)：

    2sk879-gr(te85l,f)

  • 規(guī)格書(shū)：

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明：

    JFET N-CH 0.1W USM

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SK879-GR(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類(lèi)型：

    N 通道

  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：

    8.2pF @ 10V

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    USM

  • 描述：

    JFET N-CH 0.1W USM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
2021+
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