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FII30-12E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-陣列-IXYS

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原廠料號(hào)：FII30-12E品牌：IXYS

資料說(shuō)明：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

FII30-12E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 陣列。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝i4-Pac?-5的FII30-12E晶體管 - IGBT - 陣列絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是高效且快速切換的三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)。這些器件用于變頻驅(qū)動(dòng)器 (VFD)、電動(dòng)汽車(chē)、火車(chē)、燈鎮(zhèn)流器和空調(diào)等大功率應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)電源，并可用于開(kāi)關(guān)放大器——音響系統(tǒng)和工業(yè)控制系統(tǒng)。IGBT 陣列在一個(gè)封裝中包含多個(gè)器件，并且采用全橋或半橋配置。

  • 芯片型號(hào)：

    fii30-12e

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FII30-12E

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 陣列

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，20A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    i4-Pac?-5

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述：

    IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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