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5N60P	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
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5N60Z	文件：199.23 Kbytes Page：6 Pages	5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
AOT5N60	文件：164.77 Kbytes Page：5 Pages	600V,5AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT5N60	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	600V,5AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT5N60	文件：356.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BLV5N60	文件：396.41 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司	ESTEK
BRD5N60	文件：804.5 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRF5N60	文件：802.72 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
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FCD5N60	文件：353.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCD5N60TF	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET?is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD5N60TM	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET?is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD5N60TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCD5N60TM-WS	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCU5N60	文件：947.92 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET?is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCU5N60	文件：364.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FCU5N60TU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD5N60NZ	文件：334.68 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETIIMOSFET600V,4.0A,2Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD5N60NZTM	文件：334.68 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETIIMOSFET600V,4.0A,2Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	5N60SVF5N60F	SILAN/士蘭微	2023+		8700	原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市智創(chuàng)誠(chéng)芯電子科技有限公司	5N60TO220	VBsemi	22+	TO220	25000	原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十	詢(xún)價(jià)
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深圳市維爾達(dá)電子有限公司	5N60TO220	VBsemi	2207+	TO220	1585	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	5N60TO220	VBsemi	24+	TO220	9000	只做原裝正品有掛有貨假一賠十	詢(xún)價(jià)
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更多5N60P供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 14:40:00

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