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71V424S12YG8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V424S12YG8
廠商型號(hào)

71V424S12YG8

參數(shù)屬性

71V424S12YG8 封裝/外殼為36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)

封裝外殼

36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

189.42 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 10:31:00

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71V424S12YG8規(guī)格書詳情

Features

◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆ Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆ Single 3.3V power supply

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly

TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and

44-pin, 400 mil TSOP.

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V424S12YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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