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ACPL-C740	文件：1.42829 Mbytes Page：19 Pages	Optically Isolated Sigma-Delta Modulator	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導(dǎo)體	BOARDCOM
ACPL-C740-000E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.268"，6.81mm 寬）類別：集成電路（IC） ADC/DAC - 特殊用途描述：IC MODULATOR 16BIT 8SO STRETCHED	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited
ACPL-C740-500E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.268"，6.81mm 寬）類別：集成電路（IC） ADC/DAC - 特殊用途描述：IC MODULATOR 16BIT 8SO STRETCHED	Broadcom Limited Broadcom Limited	Broadcom Limited
AIMB-740-B	文件：210.63 Kbytes Page：2 Pages	Socket478Pentium?4/Celeron?D/CeleronProcessor-basedATXwithVGA/DualLAN	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司	ADVANTECH
ASRD740	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: ?TransitionTimeasLowas70pS ?HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
ASRD740B	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: ?TransitionTimeasLowas70pS ?HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
ASRD740T	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: ?TransitionTimeasLowas70pS ?HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AZT740	文件：197.54 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTPHASECONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B740	文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BFP740	文件：38.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP740isalinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.0VandcurrentsuptoIC=45	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：599.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：1.3682 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighgainultralownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain ●Goldmetallizationforextrahighreliability ●150GHzfT-SiliconGermaniumtechnology ●OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=0.85dBat6GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BFP740ESD	文件：1.93251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740ESD	文件：1.55917 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：157.87 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainultralownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformancefor awiderangeofwirelessapplications upto10GHzandmore ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz Outstandingnoise	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：147.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：1.51591 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：147.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransist NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainultralownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformancefor awiderangeofwirelessapplications upto10GHzandmore ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz Outstandingnoise	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740FESD	文件：1.93887 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP740FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.2VandcurrentsuptoIC=45mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多ACPL-C740供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 16:54:00

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