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AIMBG120R060M1

Marking：AS60MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=38AatTC=25°C ?RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowestdev

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更多AS60MM1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 10:34:00

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