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BC848CDW1T1G_ONSEMI/安森美半導體_兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN創(chuàng)新跡電子商
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
BC848CDW1T1G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應商
- 企業(yè):
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊小姐
- 手機:
13430590551
- 詢價:
- 電話:
13430590551
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D
相近型號
- BC848CPDW1T1G
- BC848CQ-7-F
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- BC848BWH6327
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- BC848CWH6327
- BC848BW-7
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- BC848BLT1G
- BC848BLT1
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- BC848BL3E6327XTMA1
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- BC848BL3E6327
- BC848W,115
- BC848W+115
- BC848BL3
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- BC848BE6327
- BC849B
- BC849BLT1G
- BC848B-AU
- BC849B-TP
- BC848B-7-F
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- BC849C
- BC848B
- BC849C,215
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- BC849C215
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- BC849C-AU
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- BC8481L
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