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BFG10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG10
廠商型號

BFG10
參數(shù)屬性

BFG10 封裝/外殼為TO-253-4，TO-253AA；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
功能描述

RF Manual 16th edition
封裝外殼

TO-253-4，TO-253AA
文件大小

9.37507 Mbytes
頁面數(shù)量

130 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-12 18:45:00

BFG10規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFG10/X,215

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    8V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.9GHz

  • 增益：

    7dB

  • 功率 - 最大值：

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    250mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-253-4，TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-143B

  • 描述：

    RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS/飛利浦
2023+
SOT-343
3000
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
NEXPERIA
23+
SOT343
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
Philips
22+23+
Sot-423
33750
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
PHILIPS
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價
NXP
22+
SOT343
8000
原裝正品支持實單
 詢價
NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦
24+
SOT-143SOT-23-4
18200
新進庫存/原裝
 詢價
PHILIPS/飛利浦
22+
SOT-343
9000
原裝正品
 詢價
NEXPERIA/安世
2122+
NA
98800
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價
PHL
17+
SOT-343
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
PHILIPS
21+
SOT-143
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
 詢價

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