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BR34E02FVT-W集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BR34E02FVT-W
廠商型號

BR34E02FVT-W

參數(shù)屬性

BR34E02FVT-W 封裝/外殼為8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

功能描述

Based on Serial Presence Detect 2Kbit(256X8bit) Serial EEPROM

封裝外殼

8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

文件大小

279.12 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 23:00:00

BR34E02FVT-W規(guī)格書詳情

●Description

BR34E02FVT-W is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)

●Features

?256×8 bit architecture serial EEPROM

?Wide operating voltage range: 1.7V-3.6V

?Two-wire serial interface

?High reliability connection using Au pads and Au wires

?Self-Timed Erase and Write Cycle

?Page Write Function (16byte)

?Write Protect Mode

Settable Reversible Write Protect Function: 00h-7Fh

Write Protect 1 (Onetime Rom) : 00h-7Fh

Write Protect 2 (Hardwire WP PIN) : 00h-FFh

?Low Power consumption

Write (at 1.7V ) : 0.4mA (typ.)

Read (at 1.7V ) : 0.1mA(typ.)

Standby ( at 1.7V ) : 0.1μA(typ.)

?DATA security

Write protect feature (WP pin) Inhibit to WRITE at low VCC

?Compact package: TSSOP-B8, VSON008X2030

?High reliability fine pattern CMOS technology

?Rewriting possible up to 1,000,000 times

?Data retention: 40 years

?Noise reduction Filtered inputs in SCL / SDA

?Initial data FFh at all addresses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BR34E02FVT-WE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲容量:

    2Kb(256 x 8)

  • 存儲器接口:

    I2C

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TSSOP-B

  • 描述:

    IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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