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BSM100GB120DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBTPowerModule ?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSM100GB120DN2

IGBT Power Module

eupec

eupec GmbH

BSM100GB120DN2K

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBTPowerModule ?Half-bridge ?Includingfastfree-wheelingdiodes ?Packagewithinsulatedmetalbaseplate

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSM100GB120DN2K

IGBT Power Module

eupec

eupec GmbH

BSM100GB120DN2HOSA1

Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 150A 800W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSM100GB120DN2KHOSA1

Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 145A 700W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BSM100GB120DN2

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1200V 100A DUAL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
12548
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
 詢價(jià)
EUPEC
08+
IGBT
77
全新進(jìn)口原裝絕對(duì)公司現(xiàn)貨特價(jià)!
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
Module
1262
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!!
 詢價(jià)
INFINEON
23+
IGBT
200
原包裝原標(biāo)簽特價(jià)銷售
 詢價(jià)
EUPEC/歐派克
12+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價(jià)
EUPEC
24+
142
詢價(jià)
EUPEC
23+
模塊
900
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
EUPEC
23+
IGBT
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
歐派克
100
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠
 詢價(jià)
EUPEC
23+
模塊
3562
詢價(jià)
更多BSM100GB120DN2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 9:38:00

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