首頁(yè) >BSM100GD120DN2>規(guī)格書(shū)列表
零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
BSM100GD120DN2 | IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司 | SIEMENS | |
BSM100GD120DN2 | IGBT Chip in NPT-technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
Package:模塊;包裝:托盤(pán) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 1200V | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Package:模塊;包裝:托盤(pán) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 150A 680W | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
BSM100GD120DN2
- 功能描述:
IGBT 模塊 1200V 100A FL BRIDGE
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
600 V
- 集電極—射極飽和電壓:
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
230 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作溫度:
+ 125 C
- 封裝/箱體:
34MM
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
08+ |
IGBT |
77 |
絕對(duì)全新原裝強(qiáng)調(diào)只做全新原裝現(xiàn) |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
18 |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon |
23+ |
NA |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
IGBT |
200 |
原包裝原標(biāo)簽特價(jià)銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
15+ |
IGBT |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
2025+ |
IGBT模塊 |
32560 |
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
25+ |
6500 |
十七年專(zhuān)營(yíng)原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送 |
詢(xún)價(jià) | ||||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢(xún)價(jià) | |||
INF |
24+ |
40 |
詢(xún)價(jià) | ||||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
450 |
全新原裝正品,量大可訂貨!可開(kāi)17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢(xún)價(jià) |
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