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BSM200GT120DN2中文資料西門子數據手冊PDF規(guī)格書

BSM200GT120DN2
廠商型號

BSM200GT120DN2
功能描述

IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
文件大小

180 Kbytes
頁面數量

9 頁
生產廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS【西門子】

中文名稱

德國西門子股份公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-28 18:19:00
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BSM200GT120DN2規(guī)格書詳情

IGBT Power Module

Preliminary data

? Solderable Power module

? 3-phase full-bridge

? Including fast free-wheel diodes

? Package with insulated metal base plate

產品屬性

  • 型號：

    BSM200GT120DN2

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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