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CEM3139

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

20V,9A,RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. FEATURES -30V,-6A,RDS(ON)=34mW@VGS=-10V. RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=20mW@VGS=2.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CJ3139K

SOT-723Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJ3139K

P-ChannelMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CJ3139KDW

SOT-363Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJ3139KDW

DualP-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CJ3139KDW-G

MOSFET

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CJ3139KW

P-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CJ3139KW

SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMI

ZP Semiconductor

CJAA3139K

P-ChannelMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CJE3139K

P-ChannelMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

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更多CA3139E供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 15:36:00

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