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CSD18537NQ5A

CSD18537NQ5A 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?PbFreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications ?High-SideSynchronousBuckConverter ?MotorControl 3Description This10mΩ,60V,SON5mmx

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD18537NQ5A

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩級(jí)\n? 無(wú)鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無(wú)鹵素\n? 小外形尺寸無(wú)引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝;

這款 10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 頂視圖 要了解所有可用封裝，請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。 RθJA = 40°C/W，這是在一個(gè)厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹(shù)脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅過(guò)渡墊片上測(cè)得的典型值 。最大 RθJC = 2.1°C/W，脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

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絲印：18537N；Package：VSONP；CSD18537NQ5A 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?PbFreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications ?High-SideSynchronousBuckConverter ?MotorControl 3Description This10mΩ,60V,SON5mmx

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/18537n/marking.html">18537N；Package：VSONP；CSD18537NQ5A 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?PbFreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications ?High-SideSynchronousBuckConverter ?MotorControl 3Description This10mΩ,60V,SON5mmx

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/18537n/marking.html">18537N；Package：VSONP；CSD18537NQ5A 60-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features ?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?PbFreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5mm×6mmPlasticPackage 2Applications ?High-SideSynchronousBuckConverter ?MotorControl 3Description This10mΩ,60V,SON5mmx

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60 V N-Channel NexFET??Power MOSFETs

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60V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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60 V N-Channel NexFET??Power MOSFETs

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CSD18537NQ5A_16

60V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    13

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    151

  • QG typ (nC)：

    14

  • QGD typ (nC)：

    2.3

  • Package (mm)：

    SON5x6

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    54

  • ID - package limited (A)：

    50

  • Logic level：

    No

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多CSD18537NQ5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:14:00

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