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CSD18537NQ5AT

60V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    13

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    151

  • QG typ (nC)：

    14

  • QGD typ (nC)：

    2.3

  • Package (mm)：

    SON5x6

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    54

  • ID - package limited (A)：

    50

  • Logic level：

    No

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更多CSD18537NQ5供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 9:05:00

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