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CSD25480F3

采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、159mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 –20V、110mΩ、P 溝道 FemtoFET?MOSFET 經(jīng)過了設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類應(yīng)用的 尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的同時(shí)大幅減小封裝尺寸。; ? 低導(dǎo)通電阻\n? 超低 Qg 和 Qgd\n? 超小尺寸 \n? 0.73mm x 0.64mm\n \n? 薄型 \n? 最大高度為 0.35mm\n \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護(hù)二極管\n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI

CSD25480F3

20V P-Channel FemtoFET MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

CSD25480F3T

20V P-Channel FemtoFET MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

CSD25501F3

TI
PICOSTAR-3

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

上傳：深圳市芯誠微科技有公司

TI

CSD40R12A61200V40A

科瑞半導(dǎo)體/Corisemi
TO220

科瑞半導(dǎo)體/Corisemi

上傳：深圳市光格集成電路有限公司

科瑞半導(dǎo)體/Corisemi

技術(shù)參數(shù)

  • VGS (V)：

    -12

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    159

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：

    260

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：

    840

  • Id peak (Max) (A)：

    -10.4

  • Id max cont (A)：

    -1.7

  • QG typ (nC)：

    0.7

  • QGD typ (nC)：

    0.1

  • QGS typ (nC)：

    0.26

  • VGSTH typ (V)：

    -0.95

  • Package (mm)：

    LGA 0.7x0.6mm

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TI
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PICOSTAR-3
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TI(德州儀器)
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三年內(nèi)
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只做原裝正品
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更多CSD25480F3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 15:24:00

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