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Marking：D1065C5；Package：PG-TO247-3；5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode 1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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