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FCPF11N60NT

N-Channel MOSFET 600V, 10.8A, 0.299廓

Description TheSupreMOSMOSFET,Fairchild’snextgenerationofhighvoltagesuper-junctionMOSFETs,employsadeeptrenchfillingprocessthatdifferentiatesitfromprecedingmulti-epibasedtechnologies.Byutilizingthisadvancedtechnologyandpreciseprocesscontrol,SupreMOSprovidesworld

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF11N60NT

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FCPF11N60T

GeneralDescription

GeneralDescription SuperFET?is,Fairchild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowonresistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionlos

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FCPF11N60T

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FMC11N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMC11N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMI11N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP11N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV11N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMV11N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

SuperFAP-E3series Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedura

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

詳細參數

  • 型號：

    FCPF11N60NT

  • 功能描述：

    MOSFET SupreMOS 11A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi
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晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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更多FCPF11N60NT供應商 更新時間2025-2-3 14:14:00

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