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FDC8886_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET中天科工一部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDC8886
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
中天科工半導體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機:
13128990370
- 詢價:
- 電話:
13128990370/微信同號
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B
相近型號
- FDC855N
- FDD120AN15A0-F085
- FDC796N
- FDD13AN06A0
- FDC697P
- FDD13AN06A0-F085
- FDC658P
- FDD14AN06LA0
- FDC658AP
- FDD14AN06LA0-F085
- FDC6561AN
- FDD1600N10ALZ
- FDC655BN_NL
- FDD1600N10ALZD
- FDC655BN
- FDD16AN08A0
- FDC654P
- FDD18N20LZ
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- FDD2572
- FDC652P
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- FDC6506P
- FDD2670
- FDC645N
- FDD300003
- FDC645
- FDD306P
- FDC6432SH
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- FDC642P-F085P
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- FDC638P-NL
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- FDD3N40TM
- FDC637BNZ
- FDD3N50NZTM