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FDP61N20

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP61N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=41mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP61N20

200V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSM61N20

200VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

TS61N20CXRF

VoltageDetector

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FDP61N20

  • 功能描述：

    MOSFET 200V N-Channel MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ON/安森美
24+
TO-220
300
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON/安森美
22+
DIP
6000
原裝正品
 詢價
ONSEMI/安森美
22+
TO-220
4800
全新原裝正品現(xiàn)貨實單價可談
 詢價
ON/安森美
23+
DIP
11048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢價
ON/安森美
23+
DIP
15316
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢價
ON/安森美
SMD
23+
6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
 詢價
FSC
17+
TO-220
6200
詢價
FAI
24+
246
詢價
Fairchild
23+
TO-220
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
更多FDP61N20供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 17:19:00

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