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FGH75T65SQDN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGH75T65SQDN參考圖片

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原廠料號：FGH75T65SQDN品牌：ON/安森美

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FGH75T65SQDN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-4的FGH75T65SQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGH75T65SQDNL4

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    437.66 kb

  • 資料說明：

    IGBT - Field Stop, IV/4 Lead

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGH75T65SQDNL4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，75A

  • 開關(guān)能量：

    1.25mJ（開），1.26mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    44ns/208ns

  • 測試條件：

    400V，75A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-4L

  • 描述：

    650V/75 FAST IGBT FSIII T

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳經(jīng)理

  • 手機：

    18138401919

  • 詢價：
  • 電話：

    18138401919

  • 傳真：

    086-0755-23996005

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北賽格科技園4棟中

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