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FII30-12E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-陣列規(guī)格書PDF中文資料

FII30-12E
廠商型號

FII30-12E

參數(shù)屬性

FII30-12E 封裝/外殼為i4-Pac?-5;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-陣列;產(chǎn)品描述:IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

功能描述

NPT3 IGBT
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

封裝外殼

i4-Pac?-5

文件大小

72.4 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 22:58:00

FII30-12E規(guī)格書詳情

FII30-12E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-陣列。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的FII30-12E晶體管 - IGBT - 陣列絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是高效且快速切換的三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān)。這些器件用于變頻驅(qū)動器 (VFD)、電動汽車、火車、燈鎮(zhèn)流器和空調(diào)等大功率應(yīng)用中的開關(guān)電源,并可用于開關(guān)放大器——音響系統(tǒng)和工業(yè)控制系統(tǒng)。IGBT 陣列在一個封裝中包含多個器件,并且采用全橋或半橋配置。

Features

? NPT3 IGBT

- positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized performance in resonant circuits

? HiPerFREDTM diode

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

? ISOPLUS i4-PACTM package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

- industry standard outline

- UL registered, E 72873

Applications

? single phaseleg

- buck-boost chopper

? H bridge

- power supplies

- induction heating

- four quadrant DC drives

- controlled rectifier

? three phase bridge

- AC drives

- controlled rectifier

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FII30-12E

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 陣列

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,20A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    i4-Pac?-5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述:

    IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

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