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FMC07N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMC07N50E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

07N50

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrecti

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

EMD07N50A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)1.3Ω ID7A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD07N50F

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)1.3Ω ID7A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

FMI07N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP07N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV07N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

SuperFAP-E3series Features ?Maintainsbothlowpowerlossandlownoise ?LowerRDS(on)characteristic ?Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance ?SmallerVGSringingwaveformduringswitching ?Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) ?Highaval

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

SDF07N50

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SDF07N50T

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SDF07N50T

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

STHI07N50

HIGHINJECTIONN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS(IGBT)

?HIGHINPUTIMPEDANCE ?LOWON-VOLTAGE ?HIGHCURRENTCAPABILITY APPLICATIONS: ?AUTOMOTIVEIGNITION ?DRIVERSFORSOLENOIDSANDRELAYS N-channelHighInjectionPOWERMOStransis- tors(IGBT)whichfeaturesahighimpedancein- sulatedgateinputandalowon-resistance characteristi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FMC07N50E

  • 制造商：

    FUJI

  • 制造商全稱：

    Fuji Electric

  • 功能描述：

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FUJI/富士電機
17+
TO-263
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
JINGDAO/晶導微
23+
SOD-123FL
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
F
23+
T-PACK(S)
10000
公司只做原裝正品
 詢價
FUJI
原廠封裝
1000
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
FUJI/富士電機
2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應,絕對原裝 假一罰十
 詢價
FUJI/富士電機
2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
 詢價
FUJI/富士電機
23+
N/A
11550
FUJI/富士電機系列在售
 詢價
FUJI/富士電機
23+
N/A
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
 詢價
FUJ
23+
65480
詢價
FUJITSU
23+
原廠原裝
1013
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多FMC07N50E供應商 更新時間2025-1-11 14:00:00

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