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Marking：G030N06；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG030N06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導體 | GOFORD | ||
Marking：G030N06；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG030N06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters | GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導體 | GOFORD |
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