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STGB10HF60KDT4

Marking：GB10HF60KD；Package：D2PAK；10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB10HF60KDT4

Marking：GB10HF60KD；Package：D2PAK；10 A - 600 V - short-circuit rugged IGBT

Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Operatingjunctiontemperatureupto175°C ■LowCres/Ciesratio(nocrossconduction susceptibility) ■Tightparameterdistribution ■Ultrafastsoft-recoveryantiparalleldiode ■Short-circuitrugged Applications ■Motordrives ■Highfre

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多GB10HF60KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 13:30:00

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