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GCMS010B120S1-E1中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GCMS010B120S1-E1
廠商型號(hào)

GCMS010B120S1-E1

功能描述

SiC N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

469.19 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-29 19:10:00

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GCMS010B120S1-E1規(guī)格書詳情

FEATURES

· Drain Current -ID= 205A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 20V

· High Speed Switching SiC MOSFETs

APPLICATIONS

· Battery Charger

· Photovoltaic Inverter

· Server Power Supplies

· Uninterruptible Power Supply (UPS)

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