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GCMS010B120S1-E1

SiC N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=205A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=20V ·HighSpeedSwitchingSiCMOSFETs APPLICATIONS ·BatteryCharger ·PhotovoltaicInverter ·ServerPowerSupplies ·UninterruptiblePower

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

GD100HFU120C1S

SILVERMICRO/銀茂微
IGBT模塊

SILVERMICRO/銀茂微

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SILVERMICRO/銀茂微

GD25LQ128EWIGR

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GIGADEVICE
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GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

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GD25LQ256CWIG

GIGADEVICE
WSON8

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