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HGTG12N60A4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG12N60A4
廠商型號

HGTG12N60A4
參數(shù)屬性

HGTG12N60A4 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 54A 167W TO247
功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

115.04 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-10 22:34:00

HGTG12N60A4規(guī)格書詳情

The HGTP12N60A4, HGTG12N60A4 and HGT1S12N60A4S are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150°C.

This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.

Features

? >100kHz Operation at 390V, 12A

? 200kHz Operation at 390V, 9A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 70ns at TJ = 125°C

? Low Conduction Loss

? Temperature Compensating SABER Model

?? http://www.intersil.com

? Related Literature

?? - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

????? Components to PC Boards

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG12N60A4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    55μJ（開），50μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    17ns/96ns

  • 測試條件：

    390V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 54A 167W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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