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HGTG18N120BN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG18N120BN
廠商型號

HGTG18N120BN

參數(shù)屬性

HGTG18N120BN 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 54A 390W TO247

功能描述

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

112.79 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 17:30:00

HGTG18N120BN規(guī)格書詳情

The HGTG18N120BN is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.

Features

? 54A, 1200V, TC = 25°C

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Temperature Compensating SABER? Model www.fairchildsemi.com

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG18N120BN

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,18A

  • 開關(guān)能量:

    800μJ(開),1.8mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/170ns

  • 測試條件:

    960V,18A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 54A 390W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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