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HGTG18N120BN

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

TheHGTG18N120BNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

HGTG18N120BN

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

TheHGTG18N120BNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabi

Intersil

Intersil Corporation

HGTG18N120BN

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

HGTG18N120BND

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGTG18N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

HGTG18N120BND

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGTG18N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabi

Intersil

Intersil Corporation

HGTG18N120BND_07

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGTG18N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

HGTG18N120BND

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG18N120BN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，18A

  • 開關能量：

    800μJ（開），1.8mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/170ns

  • 測試條件：

    960V，18A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 54A 390W TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多HGTG18N120BN供應商 更新時間2025-1-27 8:12:00

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