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IRF6601

DirectFET??PowerMOSFET(Vdss=20V)

Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge

IRF

International Rectifier

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6601

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6601MG

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601MG

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601MG/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMH6601MGNOPB

LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LMH6601MGSLASHNOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP6601BECB-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6601BECB-T供應(yīng)商 更新時間2025-5-24 11:22:00

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