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HIP6601BECBZ-T

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 柵極驅動器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

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HIP6601CB

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera

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Intersil Corporation

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Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers

Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICPackage ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-StateInputfo

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HIP6601ECB

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage

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HIP6601ECB

SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers

Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic

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HIP6601ECB-T

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TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage

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HM6601Q

USBChargingPortControllerforFastChargingProtocol

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HVE-6601

HDMIVideoWalloverIPPoETransmitter/Receiver

LVL1

Level One

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP6601BECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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