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HVE-6601R

Multicastingandbroadcastingarchitecture

LVL1

Level One

HVE-6601T

Multicastingandbroadcastingarchitecture

LVL1

Level One

IRF6601

DirectFET??PowerMOSFET(Vdss=20V)

Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge

IRF

International Rectifier

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

TI1Texas Instruments

德州儀器

LMH6601

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器

LMH6601MG

250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601MG

250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LMH6601MG/NOPB

CMOSOperationalAmplifier

TI1Texas Instruments

德州儀器

產品屬性

  • 產品編號：

    HIP6601BECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6601BECBZ-T供應商 更新時間2025-4-7 11:22:00

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