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MCH6602-TL-E

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6602

COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

MPS6602

NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR)

AMPLIFIERTRANSISTOR ?Collector-EmitterVoltage:VCES=40V ?CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MPS6602

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6602

AmplifierTransistors

AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MPS6602

NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit

NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MPS6602G

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6602RLRA

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MPS6602RLRAG

AmplifierTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NCE6602

N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HIP6602BCB-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    14-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多HIP6602BCB-T供應(yīng)商 更新時間2025-5-21 22:30:00

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