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IRF123

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF123

N-ChannelPowerMosfets,

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRFD123

1.3Aand1.1A,80Vand100V,0.30and0.40Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul

HARRIS

Harris Corporation

IRFD123

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD123

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD123PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching, ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?ForAutomaticInsertion

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD123PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFF123

N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors

5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

ISCNH123L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

J123F

ULFclassratedstandard

CIT

CIT Relay & Switch

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HPR123C

  • 制造商：

    Murata Power Solutions Inc.

  • 類別：

    電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器

  • 系列：

    HPR1xxC (0.75W)

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    隔離模塊

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    21.6V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    26.4V

  • 電壓 - 輸出 1：

    15V

  • 電壓 - 輸出 2：

    -15V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    25mA，25mA

  • 應(yīng)用：

    ITE（商業(yè)）

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 100°C

  • 效率：

    69%

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    7-SIP 模塊，5 引線

  • 大小 / 尺寸：

    0.77" 長(zhǎng) x 0.24" 寬 x 0.40" 高（19.6mm x 6.1

  • 描述：

    DC DC CONVERTER +/-15V 1W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MURATA
23+
SIP
3
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
HPR123C
141
141
詢價(jià)
MURATA/村田
2021+
SIP
11000
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
24+
N/A
52000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
MURATA/村田
23+
SIPDIP
56688
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
Artesyn
22+
NA
2265
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
Honeywell
2020+
N/A
8
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物
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NexTek
25+
軸向 - 螺紋端子
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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HONEYWELL
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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CANDD
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多HPR123C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-22 17:10:00

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