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IRF10N40

POWERMOSFET

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

MSF10N40

400VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTB10N40E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB10N40E

HighEnergyPowerFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTB10N40E

TMOSPOWERFET10AMPERES

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP10N40

TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS

N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP10N40

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

MTP10N40E

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTP10N40E

N??hannelEnhancement??odeSiliconGate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTP10N40E

TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS

N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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更多IGTM10N40A供應商 更新時間2025-2-10 11:06:00

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