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IMZA65R072M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IMZA65R072M1H |
參數(shù)屬性 | IMZA65R072M1H 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | PG-TO247-4-3 |
文件大小 |
1.4748 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-3 13:30:00 |
人工找貨 | IMZA65R072M1H價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IMZA65R072M1H規(guī)格書詳情
IMZA65R072M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMZA65R072M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IMZA65R072M1HXKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
管件
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
28A(Tc)
- 描述:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83271698鄒小姐 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO247-4-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO247-4-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-4-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO247-4 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO-247-4 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
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詢價 | |||
INFINEON |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
PG-TO247-4-3 |
315000 |
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