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IRF1018ES	文件：299.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF1018ESLPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：429.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESLPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRF1018ESPBF	文件：435.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018E	文件：335.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤8.4m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1018ETRPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1018E	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU1018EPBF	文件：366.84 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETTMPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1018EPBF	文件：374.37 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
ISF1018	文件：334.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=0.073Ω(typ.) ·EasytocontrolGateswitching ·Enhancementmode :Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1.5mA) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
KIT1018S	文件：253.66 Kbytes Page：4 Pages	PhotoInterrupter	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
KT1018TLD	文件：178.09 Kbytes Page：10 Pages	4PINLSOPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
KT1018TRU	文件：178.09 Kbytes Page：10 Pages	4PINLSOPPHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
LD1018	文件：386.11 Kbytes Page：24 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT
LD1018SP	文件：386.11 Kbytes Page：24 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT
LD1018SS	文件：386.11 Kbytes Page：24 Pages	16ChannelConstantCurrentLEDDriver	LDT LDT Co., Ltd	LDT

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詳細參數(shù)

型號：
IRF1018ES
功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
上海鑫科潤電子科技有限公司	IRF1018ES	IR	14+	TO263	6660	原裝進口現(xiàn)貨,一站式服務,可開17%增票18916238831	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF1018ES	IR	17+	D2-Pak	31518	原裝正品可含稅交易	詢價
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深圳市鵬和科技有限公司	IRF1018ES	IR	24+	D2-Pak	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
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