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IRFI3205

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=64A)

Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)

IRF

International Rectifier

IRFI3205

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFI3205PBF

HEXFET?PowerMOSFET

VDSS=55V RDS(on)=0.008? ID=64A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesigntha

IRF

International Rectifier

IRFI3205PBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFI3205PBF

AdvancedProcessTechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFM3205

N??HANNELPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRFP3205

N-ChannelMOSFETinaTO-3PPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

IT3205BE

MT6516DesignNoticeV1.0

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IT3205CE

MT6516DesignNoticeV1.0

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

ITG3205

firstsingle-chip,digital-output,3-axisMEMSgyroICoptimizedforgaming,3Dmice

TDKTDK Corporation

TDK株式會社東電化（中國）投資有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF3205ZSTRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRF3205ZSTRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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