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IRF3710STRLPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF3710STRLPBF |
| 功能描述 | Advanced Process Technology |
| 文件大小 |
297.54 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-11 20:00:00 |
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IRF3710STRLPBF規(guī)格書詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 23m?
ID = 57A
Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF3710STRLPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
2400 |
20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長期供貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
7500 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
2024+ |
D2PAK |
500000 |
誠信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA |
5825 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
N/A |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO263 |
1709 |
詢價(jià) |
