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IRF520V

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF520VL

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF520VLPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF520VPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF520VS

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF520VSPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI520A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFI520A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFI520G

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI520G

HEXFETPOWERMOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF520STRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
1415+
TO-263
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)熱賣
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VISHAY
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TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!
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VB
21+
D2PAK
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Vishay Siliconix
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Vishay Siliconix
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
I
23+
D2PAK
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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2023+環(huán)?，F(xiàn)貨
TO-263
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專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)
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D2PAK
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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2023+
TO-263
50000
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IRF520STRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-6 11:04:00

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