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IRF5305STRLPBF	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305STRPBF	文件：1.59267 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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IRFNJ5305	文件：22.46 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR5305	文件：3.75106 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR5305	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRFR5305	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRFR5305PBF	文件：248.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.065廓,ID=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR5305PBF	文件：3.86744 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305TR	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRFR5305TR	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
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IRFR5305TRLPBF	文件：817.18 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-60V,ID=-50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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IRFR5305TRPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRF5305STRLHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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