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IRF540N

33A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

Features 1.UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040?,VGS=10V 2.SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels 3.PeakCurrentvsPulseWidthCurve 4.UISRatingCurve

Intersil

Intersil Corporation

IRF540N

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=44mohm,Id=33A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRF540N

N-ChannelMosfetTransistor

?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.044? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperat

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF540N

AdvancedProcessTechnology

VDSS=100V RDS(on)=44m? ID=33A Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethrougho

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF540N

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF540N

33A,100V,0.040Ohm,N-Channel,PowerMOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER ElectricalModels -SpiceandSABER ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRF540N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRF540NL

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=44mohm,Id=33A)

AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede

IRF

International Rectifier

IRF540NL

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF540NL

UltraLowOn-Resistance

Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF540L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 28A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRF540L供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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