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IRF630NSTRR

Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

NJS

New Jersey Semiconductor

IRF630PBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.40廓,ID=9.0A)

IRF

International Rectifier

IRF

IRF630PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

IRF630PBF

PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRF634PBF

IR
TO-220

IRInternational Rectifier Corporation，IRC

國際整流器美國國際整流器公司

上傳：深圳市勤思達(dá)科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Minimum Operating Temperature：

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation：

    82000mW

  • Maximum Operating Temperature：

    175°C

  • Maximum Gate Source Voltage：

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage：

    200V

  • Maximum Continuous Drain Current：

    9.3A

  • Material：

    Si

  • Configuration：

    Single

  • Channel Type：

    N

  • Channel Mode：

    Enhancement

  • Category：

    Power MOSFET

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更多IRF630NSTRR供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 17:07:00

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