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IRF630PBF	文件：1.53489 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch ?DT-TrenchPowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF630PBF	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630PBF	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630PBF	文件：1.03175 Mbytes Page：6 Pages	9A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRF630PBF	文件：2.10068 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )	IRF International Rectifier	IRF
IRF630S	文件：85.22 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL200V-0.35ohm-9A-D2PAKMESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.35? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF630S	文件：142.44 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.40ohm,ID=9.0A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF630S	文件：97.84 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IRF630S	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630S	文件：1.81195 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=200V ●ID=9A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRF630S	文件：923.6 Kbytes Page：3 Pages	N-channelTrenchMOStransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF630S	文件：1.96765 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630SPBF	文件：986.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.40廓,ID=9.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF630SPBF	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630STRLPBF	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630STRLPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630STRR	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF630STRRPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI630	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=5.9A) 200VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF630PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF630PBF	Vishay(威世)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	27048	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價格優(yōu),支持賬期	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF630PBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市賽爾通科技有限公司	IRF630PBF	VISHAY	23+	TO-220	65400		詢價
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